
產(chan)品分(fen)類(lei)
PRODUCT CLASSIFICATION便(bian)攜式(shi)放射(she)性(xing)測(ce)量(liang)設(she)備(bei)
相(xiang)關文(wen)章(zhang)
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訪(fang)問次(ci)數(shu):4825
更(geng)新時(shi)間(jian):2025-08-25MKS-UM 多(duo)功能輻(fu)射測量(liang)儀(yi)
MKS-UM多(duo)功能射(she)線(xian)測(ce)量(liang)儀(yi)具有(you):
◆自(zi)動(dong)量(liang)程(cheng)轉(zhuan)換
◆聲(sheng)響(xiang)指示(shi)探(tan)測(ce)到(dao)的γ、χ射(she)線(xian)和β射(she)線(xian)
◆輻(fu)射(she)強度模(mo)擬指示(shi);
◆多(duo)達4096組數(shu)據(ju)存儲空(kong)間(jian),數據(ju)可通過紅外(wai)接口輸(shu)出到(dao)計算(suan)機;
◆可在數(shu)字(zi)顯(xian)示(shi)屏(ping)上(shang)查詢歷史記(ji)錄(lu);
◆可選適(shi)合(he)在(zai)有(you)降水(shui)潮(chao)濕、多(duo)煙灰(hui)塵的場(chang)所,並可在水(shui)下0.5米(mi)深(shen)處進(jin)行(xing)測(ce)量(liang)的探(tan)測(ce)器(qi);
◆ 探(tan)測(ce)器(qi):GM氣(qi)體放電(dian)管(guan)χ-γ輻(fu)射(she)探測(ce)器(qi)
矽(gui)半(ban)導體(ti)β輻(fu)射(she)探測(ce)器(qi)
應(ying)急(ji)用閃爍(shuo)體(ti)(CsI+矽(gui)半(ban)導體(ti))γ輻(fu)射(she)探測(ce)器(qi)
◆ 測(ce)量(liang)χ-γ射(she)線(xian)輻(fu)射劑量(liang)當量(liang)率(lv)和劑量(liang)當量(liang)
◆ 測(ce)量(liang)β粒(li)子射線(xian)表(biao)面通(tong)量(liang)密(mi)度
◆ 測(ce)量(liang)χ-γ輻(fu)射(she)劑量(liang)當量(liang)累(lei)計(ji)時(shi)間(jian)
功能特點
◆ 自(zi)動(dong)量(liang)程(cheng)轉(zhuan)換;
◆ 聲(sheng)響(xiang)指示(shi)探(tan)測(ce)到(dao)的γ、χ射(she)線(xian)和β射(she)線(xian);
◆ 顯(xian)示(shi)及(ji)按(an)鍵(jian)都有(you)背光功能,方(fang)便在黑(hei)暗的地方(fang)使(shi)用;
◆ 內(nei)置(zhi)蓄(xu)電池(chi)可通過內置(zhi)充電(dian)器(qi)充電(dian),充電輸入(ru)也是(shi)12V汽(qi)車電(dian)池(chi)或220V的電(dian)源轉(zhuan)換器(qi);
◆ 多(duo)級電池電量(liang)指示(shi);
◆ 可在有(you)降水(shui)潮(chao)濕、多(duo)煙灰(hui)塵等(deng)環(huan)境(jing)惡劣的場(chang)所使(shi)用,並可在水(shui)下0.5米(mi)深(shen)處進(jin)行(xing)測(ce)量(liang);
◆ 探(tan)測(ce)器(qi)和主(zhu)機之間(jian)的距離可達30米(mi),這(zhe)在輻(fu)射超標的危(wei)險(xian)場(chang)合(he)特別有(you)用(yong);
◆ 輻(fu)射(she)強度模(mo)擬指示(shi);
◆ 多(duo)達4096組數(shu)據(ju)存儲空(kong)間(jian),數據(ju)可通過紅外(wai)接口輸(shu)出到(dao)計算(suan)機;
◆ 可在數(shu)字(zi)顯(xian)示(shi)屏(ping)上(shang)查詢歷史記(ji)錄(lu);
◆ 可選個(ge)人(ren)防護(hu)橡膠(jiao)手(shou)套(tao);
◆ 可在-40~+500c溫(wen)度範(fan)圍(wei)內使(shi)用;
◆ 顯(xian)示(shi)器(qi)耐(nai)溫(wen)可高達+950C;
◆ 探(tan)測(ce)器(qi):GM氣(qi)體放電(dian)管(guan)χ-γ輻(fu)射(she)探測(ce)器(qi)
矽(gui)半(ban)導體(ti)β輻(fu)射(she)探測(ce)器(qi)
應(ying)急(ji)用閃爍(shuo)體(ti)(CsI+矽(gui)半(ban)導體(ti))γ輻(fu)射(she)探測(ce)器(qi)
技(ji)術(shu)規格:
◆ γ輻(fu)射(she)測量(liang)範(fan)圍(wei)及相(xiang)對(dui)基本誤(wu)差(cha)
◆ 壹體探測單元(yuan)測(ce)量(liang)範(fan)圍(wei):0.1µSv/h~10Sv/h,±15%(相(xiang)對(dui)於(yu)137Cs)
◆ 外(wai)置(zhi)探測單元(yuan)測(ce)量(liang)範(fan)圍(wei):0.01~100Sv/h,±15%(相(xiang)對(dui)於(yu)137Cs)
◆ 操作臺(tai)內(nei)置探(tan)測器(qi)劑量(liang)當量(liang)測(ce)量(liang)範(fan)圍(wei):0.001~9999mSv
◆ 能(neng)量(liang)範(fan)圍(wei): 0.05~3MeV
◆ 劑(ji)量(liang)當量(liang)累(lei)計(ji)時(shi)間(jian)範(fan)圍(wei)及精(jing)度:1分(fen)鐘(zhong)~100小時(shi),±1分(fen)鐘(zhong)/100小時(shi)
◆ β輻(fu)射(she)測量(liang)參(can)數(shu)及(ji)相(xiang)對(dui)基本誤(wu)差(cha)
◆ 測(ce)量(liang)範(fan)圍(wei):10~200 000 /(cm2·min),±20%(相(xiang)對(dui)90Sr+90Y)
◆ 能(neng)量(liang)範(fan)圍(wei):0.3~3.0MeV
◆ 測(ce)量(liang)時(shi)間(jian)間(jian)隔(ge):2~50秒(miao)
◆ 電(dian)池(chi)使(shi)用時(shi)間(jian):100小時(shi)
◆ 使(shi)用溫(wen)度範(fan)圍(wei):-40°C~+50°C
◆ 含(han)包(bao)裝箱(xiang)重量(liang): 8.0Kg
◆ 含(han)包(bao)裝箱(xiang)尺寸(cun):490*255*130mm
CONTACT
辦(ban)公(gong)地址(zhi):上海(hai)市(shi)閔行(xing)區(qu)春(chun)光路99弄26號504-505室TEL:021-54339375
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