您的位置(zhi)：
基於(yu)半導體的輻(fu)射探測器(qi)已(yi)經有(you)半個(ge)多世紀(ji)的歷(li)史，ORTEC在這期間(jian)起(qi)到了(le)先(xian)鋒帶(dai)頭(tou)作(zuo)用(yong)。最初的產(chan)品(pin)基於鋰漂(piao)移的(de)鍺Ge（Li）和鋰漂(piao)移的(de)矽Si（Li）。Ge（Li）後來(lai)被更(geng)的高(gao)純(chun)鍺（HPGe）探測器(qi)取(qu)代。ORTEC提供(gong)全面的(de)HPGe探測器(qi)解(jie)決(jue)方案(an)，涵(han)蓋廣(guang)泛的(de)能(neng)量和各種(zhong)應用。鍺半(ban)導體輻射探測器(qi)需(xu)要低溫(wen)冷(leng)卻(que)。為(wei)了(le)支(zhi)持(chi)各種(zhong)計數幾何(he)形(xing)狀(zhuang)，ORTEC提供(gong)從(cong)標準(zhun)LN2系統(tong)到高級(ji)機電低溫(wen)冷(leng)卻(que)器(qi)（如(ru)ICS™）的各種(zhong)冷(leng)卻(que)選(xuan)項(xiang)。
采用這些技(ji)術(shu)的(de)ORTEC HPGe輻(fu)射探測器(qi)在範圍內(nei)被廣(guang)泛應用於(yu)核結(jie)構(gou)物理等各種(zhong)應用，以(yi)防止(zhi)在大(da)的(de)商業港(gang)口(kou)販(fan)運非(fei)法(fa)核材料。
