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集成低(di)溫冷卻(que)系統選件(jian)（-ICS、-ICS-E）
集成低(di)溫冷卻(que)系統（ICS）低溫(wen)恒溫(wen)器(qi)配備(bei)有低溫(wen)冷卻(que)器(qi)，不(bu)受(shou)回(hui)溫循環(huan)的(de)影響。與使用標準(zhun)型(xing)低(di)溫(wen)恒(heng)溫器(qi)探測器(qi)的典型(xing)三(san)天(tian)損失不(bu)同(tong)，ICS可(ke)以立(li)即(ji)重新(xin)冷卻(que)，限度(du)地(di)減(jian)少因(yin)臨(lin)時回(hui)溫而(er)損失的任(ren)何(he)時間(jian)。ICS可(ke)配備(bei)內部(bu)前(qian)置放大器(qi)（-ICS）或(huo)外部(bu)前(qian)置放大器(qi)（-ICS-E）。
集成低(di)溫冷卻(que)低本(ben)底(di)系統（-ICS-LB）
低本(ben)底(di)探測器(qi)配有內置前(qian)置放大器(qi)、高純(chun)鋁(lv)端(duan)蓋、高純(chun)鋁(lv)窗、高純(chun)鋁(lv)內杯，以(yi)及(ji)用於(yu)ICS集成低(di)溫冷卻(que)系統的低(di)本底(di)銅安(an)裝座。較低(di)本(ben)底(di)的材(cai)料可(ke)在(zai)特定(ding)計(ji)數(shu)時間(jian)內降(jiang)低(di)最(zui)小可(ke)探測活(huo)度(du)（MDA），這為(wei)在(zai)低本(ben)底(di)應用中(zhong)增(zeng)加(jia)樣(yang)品通(tong)量(liang)提供(gong)了(le)另(ling)壹(yi)種方(fang)法。
SMART-1選(xuan)件(jian) (-SMP)
SMART-1選(xuan)件(jian)用於(yu)監控和(he)報(bao)告重要(yao)的系統功能，還(hai)可(ke)保存(cun)碼(ma)並(bing)在(zai)稍後報(bao)告該(gai)碼。它(ta)包括高壓(ya)，因(yin)此(ci)所(suo)有儀器(qi)都不(bu)需(xu)要外部(bu)高壓(ya)電(dian)源。SMART-1采用堅(jian)固的(de)ABS模(mo)塑(su)塑料(liao)外殼(ke)，並(bing)通(tong)過(guo)模塑(su)應變(bian)消除密封(feng)電(dian)纜牢牢地(di)固定(ding)在(zai)探測器(qi)端蓋上(shang)。這可(ke)避免(mian)探(tan)測器(qi)因水(shui)分泄漏(lou)到(dao)高壓(ya)連(lian)接器(qi)中(zhong)而(er)受(shou)到(dao)嚴(yan)重損壞。SMART-1可(ke)以放置在(zai)任何(he)方(fang)便(bian)使(shi)用的位置，不(bu)會(hui)幹(gan)擾屏(ping)蔽體(ti)或(huo)其(qi)他(ta)硬(ying)件(jian)安(an)裝。
超高計數率(lv)前(qian)置放大器(qi)選件(jian)（-PL）
超(chao)高計數率(lv)前(qian)置放大器(qi)（晶(jing)體(ti)管復位(wei)前(qian)置放大器(qi)）可(ke)在(zai)1 MeV下處(chu)理(li)高達(da)1,000,000個計數(shu)/秒的輸入(ru)計數(shu)率(lv)，並(bing)具有無反(fan)饋(kui)電(dian)阻(zu)的額外優(you)勢。
惡劣環(huan)境選件(jian)（-HE）
惡劣環(huan)境選件(jian)是(shi)壹(yi)個堅(jian)固的(de)碳(tan)纖(xian)維(wei)端(duan)蓋，配(pei)有密封(feng)的(de)電(dian)子設備外殼(ke)，並(bing)帶有可(ke)更(geng)換(huan)的幹(gan)燥劑包，用以確保電(dian)子設備保持(chi)100％幹(gan)燥並(bing)指示(shi)何(he)時需(xu)要更(geng)換(huan)幹(gan)燥劑包。直徑(jing)為(wei)76 mm或(huo)更(geng)大PopTop封(feng)裝設計中(zhong)的(de)GEM系列(lie)探(tan)測器(qi)可(ke)配備(bei)此(ci)選件(jian)。
遠(yuan)端(duan)前(qian)置放大器(qi)選件(jian)（-HJ）
此(ci)選件(jian)讓(rang)所(suo)有前(qian)置放大器(qi)和高壓(ya)接頭位於(yu)屏(ping)蔽之(zhi)外，並(bing)將前(qian)置放大器(qi)和高壓(ya)濾(lv)波(bo)器(qi)從Ge晶(jing)體(ti)的(de)“視線”移除。對(dui)於(yu)低(di)本(ben)底(di)應用，此(ci)選件(jian)消除了(le)可(ke)能增(zeng)加(jia)本底(di)的前(qian)置放大器(qi)或(huo)高壓(ya)濾(lv)波(bo)器(qi)組件(jian)。
低(di)本(ben)底(di)碳(tan)纖(xian)維(wei)端(duan)蓋選(xuan)件(jian)（-RB、-LB-C和(he)-XLB-C）
低(di)本(ben)底(di)碳(tan)纖(xian)維(wei)端(duan)蓋與(yu)Al、Mg和Cu壹(yi)樣(yang)堅(jian)固，產(chan)生(sheng)的(de)本底(di)少，不(bu)被腐(fu)蝕，並(bing)且可(ke)以檢(jian)測低於(yu)10 keV的(de)能量(liang)。這種較低(di)的(de)本(ben)底(di)材料(liao)可(ke)在(zai)特定(ding)計(ji)數(shu)時間(jian)內降(jiang)低(di)最(zui)小可(ke)探測活(huo)度(du)（MDA），這為(wei)在(zai)低本(ben)底(di)計數(shu)應用中(zhong)增(zeng)加(jia)樣(yang)品通(tong)量(liang)提供(gong)了(le)另(ling)壹(yi)種方(fang)法。碳(tan)纖(xian)維(wei)的(de)較低(di)Z可(ke)提供(gong)低(di)能量(liang)窗口，而(er)不(bu)會(hui)產生(sheng)在(zai)大多(duo)數合金中(zhong)發(fa)現(xian)的額外本(ben)底(di)。
