您(nin)的(de)位(wei)置(zhi)：
- “面向應用(yong)的(de)”P型(xing)HPGe探(tan)測(ce)器(qi)針(zhen)對(dui)特(te)定樣(yang)品(pin)類型(xing)、伽(jia)馬能量範圍和(he)測(ce)量幾何(he)形(xing)狀進(jin)行(xing)了(le)優化(hua)。
- 在購(gou)買(mai)之(zhi)前請先了(le)解新(xin)HPGe探(tan)測(ce)器(qi)的(de)性(xing)能！
- 計數幾何(he)形(xing)狀可提(ti)供給定IEEE標(biao)準相對(dui)效率的(de)效率。
- 穩(wen)定的(de)薄(bo)前(qian)接(jie)觸(chu)面，如(ru)果在室溫(wen)條件(jian)下(xia)存(cun)放，不會產(chan)生前死(si)層增長(chang)（PROFILE GEM S、SP和(he)C系(xi)列）。
- 保證的(de)晶體(ti)尺(chi)寸確(que)保了(le)測(ce)量性(xing)能。
- 可重現的(de)尺(chi)寸(cun)意味(wei)著可重現的(de)性(xing)能... 無壹(yi)例(li)外。
- 全系(xi)列PopTop低溫(wen)恒溫(wen)器(qi)和(he)選(xuan)件(jian)。
ORTEC PROFILE系(xi)列P型(xing)高純鍺(zhe)（HPGe）探(tan)測(ce)器(qi)可提(ti)供特定的(de)晶體(ti)尺(chi)寸，您(nin)可以(yi)從(cong)中選擇您(nin)應用(yong)的(de)解決方案(an)。為了(le)幫助您(nin)確定相(xiang)對效率與(yu)晶體(ti)尺(chi)寸之(zhi)間(jian)的(de)關(guan)系(xi)，我們提(ti)供了(le)標(biao)稱相對(dui)效率規(gui)格。分(fen)辨(bian)率根(gen)據IEEE標(biao)準測(ce)量。如(ru)果ORTEC探(tan)測(ce)器(qi)庫(ku)存(cun)清(qing)單中有特定的(de)PROFILE系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)，則(ze)可在購(gou)買(mai)前(qian)檢查(zha)實(shi)際測(ce)量的(de)規(gui)格。
F系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)
F系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)采(cai)用(yong)“超方形”（直徑(jing)>長(chang)度(du)）同軸(zhou)結構。這(zhe)種(zhong)晶體(ti)幾(ji)何(he)形(xing)狀通(tong)常被稱(cheng)為(wei)半平(ping)面(mian)結構。對(dui)於(yu)給定的(de)相(xiang)對(dui)（IEEE）效率，F系(xi)列實現了(le)對鍺(zhe)材料(liao)的(de)“利(li)用(yong)”，它可為直接(jie)位(wei)於端蓋或(huo)“靠(kao)近(jin)幾何(he)位(wei)置(zhi)”的(de)體(ti)源樣(yang)品(pin)提(ti)供計數效率，例(li)如(ru)：
- 在端(duan)蓋(gai)頂(ding)端的(de)點源
- 在端(duan)蓋(gai)頂(ding)端的(de)濾(lv)紙(zhi)樣(yang)品(pin)
- 在端(duan)蓋(gai)頂(ding)端的(de)瓶(ping)子(zi)和(he)罐(guan)子的(de)樣(yang)品(pin)
- 保健(jian)無(wu)力分(fen)析(xi)應用(yong)（例(li)如(ru)，肺部監測(ce)）
- 廢物桶(tong)監測(ce)
此(ci)外(wai)，超方形幾(ji)何(he)結構有(you)助(zhu)於通過降低晶體(ti)電(dian)容(rong)來(lai)改善(shan)低能量分(fen)辨(bian)率問題。
S系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)
- 具(ju)有(you)超(chao)薄、穩定入(ru)射(she)窗(chuang)口(kou)，同(tong)時(shi)具(ju)有F系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)的(de)所(suo)有(you)優(you)點。
- 出(chu)色(se)的(de)性(xing)能保證(zheng)。
- 低至(zhi)3 keV能量下(xia)的(de)出(chu)色(se)靈敏(min)度(du)。
- 在室溫(wen)條件(jian)下(xia)長(chang)期(qi)存(cun)放，不會降低探(tan)測(ce)器(qi)的(de)性(xing)能。
S系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)采(cai)用(yong)平(ping)面(mian)晶體(ti)幾(ji)何(he)結構和(he)專(zhuan)有的(de)超(chao)薄(bo)穩(wen)定入(ru)射(she)窗(chuang)口(kou)，可提(ti)高低能效率。S系(xi)列入射(she)窗(chuang)口(kou)將(jiang)有(you)用(yong)能量範圍擴(kuo)展(zhan)至(zhi)3 keV及以(yi)下(xia)，同(tong)時保(bao)持(chi)了(le)PROFILE系(xi)列的(de)出(chu)色(se)峰(feng)形(xing)和分(fen)辨(bian)率特(te)性(xing)。
SP系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)
- 具(ju)有(you)專(zhuan)有低噪(zao)聲(sheng)後(hou)接(jie)觸(chu)面，同時具有所有(you)F系(xi)列和S系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)的(de)所(suo)有(you)優(you)點。
- 出(chu)色(se)的(de)分(fen)辨(bian)率性(xing)能。
平(ping)面(mian)SP系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)除了(le)采(cai)用(yong)S系(xi)列和C系(xi)列的(de)專(zhuan)有超(chao)薄穩(wen)定入(ru)射(she)窗(chuang)口(kou)外(wai)，還(hai)使(shi)用(yong)了(le)低噪(zao)聲(sheng)後(hou)接(jie)觸(chu)級。與(yu)S系(xi)列壹樣(yang)，如(ru)果在室溫(wen)條件(jian)下(xia)存(cun)放，前接(jie)觸(chu)面依(yi)然(ran)可以(yi)在低能量下(xia)提(ti)供出色(se)的(de)透射(she)率，並且(qie)不會因入(ru)射(she)窗(chuang)口(kou)損失效率。SP系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)的(de)之(zhi)處(chu)在於(yu)具(ju)有(you)專(zhuan)門(men)的(de)後(hou)接(jie)觸(chu)面，可在低能量下(xia)顯(xian)著提(ti)高探(tan)測(ce)器(qi)分(fen)辨(bian)率。
選(xuan)擇F系(xi)列、S系(xi)列或SP系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)的(de)壹(yi)般(ban)指(zhi)南
對於(yu)直接(jie)放置在端(duan)蓋(gai)上的(de)樣(yang)品(pin)，探(tan)測(ce)器(qi)直徑(jing)應超過樣(yang)品(pin)直徑(jing)的(de)20％或(huo)更(geng)多。如(ru)果超過30％，效率增(zeng)加(jia)則不明顯。另(ling)外(wai)，如(ru)果探(tan)測(ce)器(qi)直徑(jing)超過(guo)樣(yang)品(pin)直徑(jing)20％或更(geng)多，則(ze)由(you)樣(yang)品(pin)位置(zhi)的(de)不可再現性(xing)引起的(de)誤(wu)差(cha)將(jiang)會最小(xiao)。
如(ru)果有預算(suan)限(xian)制，則首先選(xuan)擇直徑(jing)的(de)探(tan)測(ce)器(qi)。選(xuan)擇更(geng)厚的(de)探(tan)測(ce)器(qi)將(jiang)進(jin)壹(yi)步提(ti)高效率，特(te)別(bie)是在更(geng)高的(de)能量下(xia)更(geng)是如(ru)此(ci)。對(dui)於以(yi)類似於上述(shu)幾(ji)何(he)形(xing)狀的(de)樣(yang)品(pin)，選擇直徑(jing)比(bi)樣(yang)品(pin)大(da)20％（或更(geng)多）的(de)F系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)，可確保(bao)給(gei)定相(xiang)對（IEEE）效率的(de)大(da)化(hua)。選擇直徑(jing)比(bi)樣(yang)品(pin)大(da)20％（或更(geng)多）的(de)S系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)，可確保(bao)在3至(zhi)50 keV的(de)較(jiao)低能量下(xia)具(ju)有的(de)效率。如(ru)果應用(yong)或情(qing)況需要在室溫(wen)環境中長(chang)時(shi)間(jian)存(cun)放探(tan)測(ce)器(qi)，則(ze)選(xuan)擇S系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)可保持(chi)優(you)異(yi)的(de)性(xing)能，並且(qie)在低能量範圍內(nei)性(xing)能不會得到(dao)降低。與(yu)具有(you)相同(tong)相對效率的(de)較(jiao)長(chang)、較(jiao)小(xiao)直徑(jing)的(de)探(tan)測(ce)器(qi)相(xiang)比(bi)，超方形探(tan)測(ce)器(qi)通(tong)常(chang)可以(yi)實現更(geng)好的(de)低能量分(fen)辨(bian)率。
選(xuan)擇SP系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)，可在低能量和中能量下(xia)實(shi)現的(de)分(fen)辨(bian)率性(xing)能。高分(fen)辨(bian)率優(you)勢對於多核(he)素(su)（多(duo)峰）識(shi)別(bie)的(de)應用(yong)至(zhi)關(guan)重要。更(geng)好的(de)分(fen)辨(bian)率可提(ti)高峰(feng)值定位(wei)算(suan)法(fa)的(de)性(xing)能，從(cong)而(er)減(jian)少誤報(bao)和雙(shuang)峰。SP系(xi)列PROFILE探(tan)測(ce)器(qi)的(de)提(ti)供更(geng)好分(fen)辨(bian)率性(xing)能意味(wei)著改(gai)善的(de)信(xin)噪(zao)比(bi)，這(zhe)同時(shi)也(ye)意味(wei)著更(geng)低的(de)最小(xiao)可探(tan)測(ce)活(huo)度(du)（MDA）和更(geng)短(duan)的(de)計(ji)數時間(jian)。
需要註意的(de)是, 最小(xiao)的(de)S系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)(GEM-S5020 、 GEM-S5825) 和(he)所(suo)有(you)的(de) GEM-SP 探(tan)測(ce)器(qi)都(dou)是為了(le)低計數率相(xiang)關(guan)應用(yong)設(she)計的(de)。
M系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)
M系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)設(she)計用(yong)於Marinelli杯，以(yi)提(ti)供解決方案(an)和效率。M系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)可提(ti)供與(yu)GEM系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)相(xiang)同(tong)的(de)分(fen)辨(bian)率和(he)更(geng)高的(de)效率（低於50 keV），提(ti)供比(bi)GMX系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)更(geng)高的(de)分(fen)辨(bian)率但(dan)效率略低（低於50 keV）。這(zhe)些(xie)在端(duan)蓋(gai)直徑(jing)“填滿(man)晶體(ti)”，並且(qie)長(chang)度(du)略大(da)於直徑(jing)的(de)情(qing)況下(xia)測(ce)得。Marinelli杯的(de)總(zong)體(ti)效率被。這(zhe)是見(jian)的(de)樣(yang)品(pin)杯，其中井直徑(jing)等於(yu)其長(chang)度(du)。此(ci)外(wai)，對於(yu)給(gei)定的(de)相(xiang)對(dui)（IEEE）效率，M系(xi)列實現了(le)對鍺(zhe)材料(liao)的(de)“利(li)用(yong)”，具有(you)比(bi)F、S或SP系(xi)列更(geng)高的(de)能量範圍要求，可為直接(jie)放置在端(duan)蓋(gai)頂(ding)面的(de)體(ti)源樣(yang)品(pin)提(ti)供計數效率，例(li)如(ru)：
- 在端(duan)蓋(gai)頂(ding)端的(de)點源
- 在端(duan)蓋(gai)頂(ding)端的(de)濾(lv)紙(zhi)樣(yang)品(pin)
- 在端(duan)蓋(gai)頂(ding)端的(de)瓶(ping)子(zi)和(he)罐(guan)子樣(yang)品(pin)
- 廢物桶(tong)監測(ce)
C系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)
C系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)具(ju)有(you)M系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)的(de)所(suo)有(you)優(you)點，並結合了(le)超薄、穩(wen)定的(de)入(ru)射(she)窗(chuang)口(kou)。這(zhe)將(jiang)可用(yong)能量擴展(zhan)至(zhi)3 keV，同時(shi)保持(chi)了(le)較(jiao)高能量下(xia)的(de)效率。除了(le)測(ce)量241Am和210Pb等核(he)素(su)外(wai)，還可為更(geng)高能量的(de)發射(she)體提(ti)供優異(yi)的(de)效率；所(suo)有(you)這(zhe)壹切(qie)都可在壹(yi)個(ge)探(tan)測(ce)器(qi)中完成。其中的(de)探(tan)測(ce)器(qi)可提(ti)供單個(ge)探(tan)測(ce)器(qi)在能量大(da)於3 MeV下(xia)所(suo)擁有(you)的(de)效率。
選(xuan)擇M系(xi)列或C系(xi)列PROFILE GEM探(tan)測(ce)器(qi)的(de)壹(yi)般(ban)指(zhi)南
選擇用(yong)於特(te)定Marinelli杯的(de)M系(xi)列或C系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)非(fei)常(chang)簡(jian)單：只需選(xuan)擇最貼合Marinelli杯井(jing)直徑(jing)的(de)探(tan)測(ce)器(qi)即(ji)可！
F系(xi)列、S系(xi)列或SP系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)適合Marinelli的(de)幾(ji)何(he)結構，它(ta)們具有(you)更(geng)好的(de)分(fen)辨(bian)率性(xing)能，但效率低於相(xiang)同(tong)直徑(jing)的(de)M系(xi)列或C系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)。相(xiang)應地，在端(duan)蓋(gai)頂(ding)端測(ce)量的(de)幾(ji)何(he)條(tiao)件(jian)中，M或C系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)可以(yi)代(dai)替F、S或SP系(xi)列探(tan)測(ce)器(qi)。對(dui)於(yu)相(xiang)同的(de)直徑(jing)，M系(xi)列或C系(xi)列可提(ti)供稍高(gao)的(de)效率（隨(sui)著能量的(de)增(zeng)加(jia)而(er)增(zeng)加）。
