GAMMA-XN型(xing)同軸(zhou)HPGe探測(ce)器(qi)適用於(yu)能量範圍為~3keV及以(yi)上(shang)的高性(xing)能(neng)伽馬能(neng)譜(pu)測(ce)量

GAMMA-X系(xi)列探測(ce)器(qi)采(cai)用ORTEC生(sheng)長(chang)的(de)鍺(zhe)晶(jing)體(ti)設計(ji)，該(gai)晶(jing)體(ti)經(jing)我們位於(yu)田納西(xi)州(zhou)橡樹嶺(ling)的(de)制造工廠(chang)加工。探(tan)測(ce)器(qi)由N型(xing)鍺制成(cheng)，具(ju)有擴(kuo)散(san)Li的(de)內(nei)部(bu)接觸(chu)面和(he)離子註(zhu)入(ru)硼(peng)的(de)外部超(chao)薄(bo)接觸(chu)面。

GAMMA-X探測(ce)器(qi)在(zai)高能(neng)量和(he)低能量下異常(chang)地(di)表現(xian)出(chu)的(de)效(xiao)率。ORTEC提(ti)供(gong)GMX系(xi)列HPGe探測(ce)器(qi)，相(xiang)對(dui)效率從(cong)10％到100％甚至更(geng)高。

ORTEC擁(yong)有壹(yi)系(xi)列HPGe探測(ce)器(qi)。其(qi)中(zhong)壹(yi)些具(ju)有(you)“超(chao)級規格”，即保證(zheng)的(de)能量分辨率(lv)優於(yu)通常的保證(zheng)規格。

GAMMA-X探測(ce)器(qi)的(de)高(gao)低能量性(xing)能(neng)
GAMMA-X探測(ce)器(qi)的(de)高(gao)能(neng)量性(xing)能(neng)由其(qi)相(xiang)對(dui)效率、分辨(bian)率(lv)和(he)其(qi)在(zai)60Co時的(de)峰康比定義(yi)。

該(gai)探(tan)測(ce)器(qi)的(de)低能量性(xing)能(neng)由其(qi)在(zai)5.9keV的分(fen)辨率(lv)、其(qi)有(you)效表面積和(he)探(tan)測(ce)器(qi)窗(chuang)口(kou)厚度定義(yi)。

GAMMA-X探(tan)測(ce)器(qi)的(de)入(ru)射(she)接觸(chu)面厚度由現(xian)成(cheng)源(yuan)的兩(liang)個峰的面積比來(lai)描(miao)述(shu)。選擇(ze)的(de)峰來自109Cd的(de)88-keV伽馬射(she)線(xian)和(he)來(lai)自相(xiang)同(tong)源(yuan)的22.16-keV Ag K x射(she)線(xian)。保(bao)證窗口衰(shuai)減(jian)率(lv)為20。

22 keV峰值(zhi)/88 keV峰面積
該(gai)規格量化了GAMMA-X探(tan)測(ce)器(qi)中(zhong)入射(she)窗口的薄(bo)度。來(lai)自109Cd源(yuan)22keV和(he)88 keV譜(pu)線(xian)的(de)γ射(she)線(xian)的(de)自然比率(lv)約為21：1。GAMMA-X探測(ce)器(qi)通(tong)常(chang)顯示>20：1的(de)比率(lv)。

鈹(pi)窗(chuang)
70毫米(mi)（2.75英(ying)寸(cun)）或(huo)76毫(hao)米(mi)（3英(ying)寸(cun)）直(zhi)徑(jing)端(duan)蓋(gai)（10至~35%）的(de)GMX探測(ce)器(qi)配(pei)有(you)直(zhi)徑(jing)為51毫米(mi)（2英(ying)寸(cun)）的(de)Be窗(chuang)口(kou)。83毫米（3.25英(ying)寸(cun)）直(zhi)徑(jing)端(duan)蓋(gai)（約(yue)30至65％）的(de)GMX探測(ce)器(qi)配(pei)有(you)直(zhi)徑(jing)為64毫米(mi)（2.5英(ying)寸(cun)）的(de)Be窗(chuang)口(kou)。這些窗(chuang)口為0.020英(ying)寸(cun)厚並在(zai)5.9-keV時具(ju)有~95％的(de)透(tou)射(she)系(xi)數(shu)。95毫(hao)米(mi)（3.75英(ying)寸(cun)）直(zhi)徑(jing)端(duan)蓋(gai)（約(yue)60至100％）的(de)探測(ce)器(qi)配(pei)有(you)直(zhi)徑(jing)為84毫米(mi)（3.3英(ying)寸(cun)）的(de)Be窗(chuang)口(kou)，該(gai)窗(chuang)口為0.030英(ying)寸(cun)厚。

高壓禁止(zhi)和(he)高(gao)速(su)率(lv)指示(shi)
GAMMA-X探測(ce)器(qi)具(ju)有(you)高(gao)壓(ya)禁止(zhi)和(he)高(gao)速(su)率(lv)指示(shi)保護功能(neng)。如(ru)果LN2耗(hao)盡(jin)且(qie)探測(ce)器(qi)在(zai)施加高(gao)壓(ya)偏壓時開(kai)始(shi)回溫(wen)（使用659型(xing)偏壓電(dian)源(yuan)時），則(ze)高壓(ya)會(hui)自動(dong)關(guan)閉(bi)，以保(bao)護FET免受(shou)損(sun)壞。這通過(guo)溫(wen)度傳感(gan)器(qi)（位(wei)於(yu)探測(ce)器(qi)後(hou)面的底(di)座(zuo)上）實(shi)現(xian)，該(gai)溫(wen)度傳感(gan)器(qi)用於(yu)在(zai)分子篩脫氣(qi)並(bing)產(chan)生(sheng)危險(xian)的(de)高(gao)壓(ya)電(dian)弧之(zhi)前(qian)關(guan)閉(bi)高壓(ya)。使用回溫(wen)探測(ce)器(qi)的(de)高(gao)泄(xie)漏電(dian)流(liu)來(lai)關(guan)閉(bi)高壓(ya)可能(neng)導(dao)致FET和(he)探(tan)測(ce)器(qi)損(sun)壞。

抗(kang)中(zhong)子損(sun)傷
在(zai)GAMMA-X探測(ce)器(qi)中(zhong)，收集(ji)電(dian)子是(shi)主(zhu)要的(de)過(guo)程(cheng)。快中(zhong)子將產(chan)生(sheng)空(kong)穴俘(fu)獲(huo)中(zhong)心；也(ye)就是說，帶(dai)負電(dian)的缺(que)陷會(hui)捕獲(huo)空(kong)穴而不(bu)是(shi)電(dian)子。

因(yin)此(ci)，與空(kong)穴俘(fu)獲(huo)為主(zhu)要過(guo)程(cheng)的同(tong)軸(zhou)Ge設備(bei)相(xiang)比，空(kong)穴俘(fu)獲(huo)為次要過(guo)程(cheng)的GAMMA-X探(tan)測(ce)器(qi)對(dui)輻(fu)射(she)損(sun)傷基(ji)本上不敏感(gan)。這些理(li)論上(shang)的猜(cai)測(ce)已(yi)經(jing)通(tong)過(guo)實(shi)驗(yan)得(de)到證(zheng)實(shi)。

應(ying)該(gai)註(zhu)意的是，壹(yi)旦發(fa)生(sheng)嚴(yan)重的輻(fu)射(she)損(sun)傷，“最(zui)長裏(li)程(cheng)”可以(yi)通(tong)過(guo)避(bi)免(mian)將探測(ce)器(qi)循(xun)環(huan)到室溫(wen)來獲(huo)得(de)。對(dui)於(yu)p型(xing)或n型(xing)Ge探測(ce)器(qi)也(ye)是(shi)如(ru)此(ci)。然而(er)，對(dui)於(yu)輕(qing)微(wei)損(sun)傷的(de)GAMMA-X探測(ce)器(qi)（~0.1 keV衰(shuai)減(jian)），回(hui)溫(wen)循(xun)環(huan)甚至長(chang)時間(jian)室溫(wen)保存(cun)都不(bu)會(hui)產(chan)生(sheng)不(bu)利(li)影響(xiang)。

GAMMA-X探(tan)測(ce)器(qi)應(ying)盡(jin)可能(neng)保(bao)持在(zai)接近(jin)77 K的溫(wen)度，以(yi)盡(jin)量減少輻(fu)射(she)損(sun)傷的(de)程度。因(yin)此(ci)，為了這個目(mu)的，Streamline低溫恒溫(wen)器(qi)少(shao)了(le)壹(yi)個熱連接，是比PopTop更(geng)好的(de)選擇(ze)。

客(ke)戶中(zhong)子損(sun)傷可修復探(tan)測(ce)器(qi)
修復中(zhong)子損(sun)傷的(de)GAMMA-X探測(ce)器(qi)可以(yi)在(zai)我們(men)的任何維(wei)修機(ji)構(gou)進行，也(ye)可以(yi)由您(nin)自己(ji)在(zai)實驗(yan)室進行。如(ru)需獲(huo)取(qu)更多(duo)有關我們客戶(hu)中(zhong)子損(sun)傷可修復GAMMA-X探(tan)測(ce)器(qi)的(de)信(xin)息，請聯系(xi)我們(men)。

集(ji)成(cheng)低溫冷卻系(xi)統選件（-ICS-E）
集(ji)成(cheng)低溫冷卻系(xi)統（ICS）低溫恒溫(wen)器(qi)配(pei)備(bei)有(you)低溫冷卻器(qi)，不(bu)受(shou)回(hui)溫(wen)循環(huan)的影響(xiang)。與使用標準(zhun)型(xing)低溫恒溫(wen)器(qi)探(tan)測(ce)器(qi)的(de)典(dian)型(xing)三(san)天(tian)損(sun)失不(bu)同，ICS可以(yi)立(li)即重新冷(leng)卻，限(xian)度地(di)減少(shao)因(yin)臨(lin)時回溫(wen)而損(sun)失的(de)任何時(shi)間(jian)。

SMART-1選件 (-SMN)
SMART-1選件用於(yu)監(jian)控和(he)報(bao)告(gao)重要的(de)系(xi)統功(gong)能(neng)，還可保(bao)存(cun)驗(yan)證(zheng)碼並在(zai)稍後(hou)報(bao)告(gao)該(gai)驗(yan)證(zheng)碼。它包(bao)括(kuo)高(gao)壓(ya)，因(yin)此(ci)所有儀器(qi)都(dou)不(bu)需要外(wai)部(bu)高壓電(dian)源(yuan)。SMART-1采用堅(jian)固(gu)的ABS模塑(su)塑(su)料外(wai)殼(ke)，並(bing)通(tong)過(guo)模塑(su)密封(feng)電(dian)纜牢(lao)牢(lao)地(di)固(gu)定在(zai)探測(ce)器(qi)端(duan)蓋(gai)上(shang)。這可避(bi)免(mian)探(tan)測(ce)器(qi)因(yin)水(shui)分(fen)泄(xie)漏到高(gao)壓(ya)連接器(qi)中(zhong)而受(shou)到嚴重損(sun)壞。SMART-1可以(yi)放(fang)置在(zai)任何方便使用的位(wei)置，不(bu)會(hui)幹擾(rao)屏(ping)蔽(bi)罩(zhao)或其(qi)他(ta)安裝(zhuang)硬(ying)件。

超(chao)高(gao)計(ji)數(shu)率(lv)前(qian)置(zhi)放大器(qi)選件（-PL）
超(chao)高(gao)計(ji)數(shu)率(lv)前(qian)置(zhi)放大器(qi)（晶(jing)體(ti)管(guan)復位(wei)前(qian)置放大(da)器(qi)）可在(zai)1 MeV下處理高(gao)達(da)1,000,000個計(ji)數(shu)/秒(miao)的輸(shu)入計(ji)數(shu)率(lv)，並(bing)具(ju)有無反饋電(dian)阻的(de)額(e)外(wai)優勢。

惡劣(lie)環(huan)境選件（-HE）
惡劣(lie)環(huan)境選件是(shi)壹(yi)個堅(jian)固(gu)的碳(tan)纖維端(duan)蓋，配有(you)密封(feng)的(de)電(dian)子設備(bei)外(wai)殼(ke)，並(bing)帶(dai)有可更(geng)換(huan)的幹(gan)燥劑包(bao)，用以確(que)保電(dian)子設備(bei)保(bao)持100％幹(gan)燥(zao)並指示(shi)何時(shi)需要更(geng)換(huan)幹燥(zao)劑包(bao)。直徑(jing)為76 mm或更(geng)大(da)PopTop封(feng)裝(zhuang)設計(ji)中(zhong)的GMX系(xi)列探測(ce)器(qi)可配(pei)備(bei)此(ci)選件。

遠程前(qian)置放(fang)大(da)器(qi)選件（-HJ）
此(ci)選件讓所有前置放(fang)大(da)器(qi)和(he)高(gao)壓(ya)接頭(tou)位於(yu)屏(ping)蔽(bi)之(zhi)外，並(bing)將前置(zhi)放大(da)器(qi)和(he)高(gao)壓(ya)濾波(bo)器(qi)從(cong)Ge晶體(ti)的(de)“視(shi)線(xian)”移(yi)開。對於(yu)低本底(di)應(ying)用，此(ci)選件消除(chu)了(le)可能(neng)增(zeng)加屏(ping)蔽(bi)罩(zhao)內部(bu)本底(di)的(de)任何可能(neng)性(xing)，來(lai)源(yuan)於(yu)前置放大器(qi)或(huo)高(gao)壓(ya)濾波(bo)器(qi)組件。

低本底(di)碳(tan)纖維端(duan)蓋選件（-RB、-LB-C和(he)-XLB-C）
低本底(di)碳(tan)纖維端(duan)蓋與Al、Mg和(he)Cu壹(yi)樣堅(jian)固(gu)，產(chan)生(sheng)的(de)本底(di)少(shao)，不腐(fu)蝕(shi)，並且(qie)可以(yi)檢測(ce)低於(yu)10 keV的能量。這種較(jiao)低的本底(di)材(cai)料可在(zai)特定計(ji)數(shu)時(shi)間(jian)內(nei)降(jiang)低最小(xiao)可探(tan)測(ce)活(huo)度（MDA），這為在(zai)低本底(di)計(ji)數(shu)應(ying)用中(zhong)增(zeng)加樣品通(tong)量提(ti)供(gong)了另(ling)壹(yi)種方法。碳(tan)纖維的(de)低Z值(zhi)可提(ti)供(gong)低能量窗口，而(er)不會(hui)產(chan)生(sheng)在(zai)大多(duo)數(shu)合(he)金(jin)中(zhong)發(fa)現(xian)的(de)額(e)外(wai)本底(di)。

鋁(lv)窗選件（-A）
如(ru)果感興(xing)趣(qu)的能(neng)量超過(guo)20 keV，則(ze)可以(yi)選擇(ze)全(quan)鋁(lv)端蓋(gai)。

碳(tan)纖維窗(chuang)選件（-CW）
碳(tan)纖維窗(chuang)口可用於(yu)大於(yu)約8 keV的能量。雖然這個窗(chuang)口不(bu)能通過(guo)所有較(jiao)低的能量，但碳(tan)纖維的(de)Z比Al低，並且(qie)不存(cun)在(zai)任何與Be相(xiang)關(guan)的危險(xian)。