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        1. 產品(pin)中心(xin)/ products

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          用(yong)於(yu)研(yan)究(jiu)應用(yong)的Si帶(dai)電(dian)粒(li)子(zi)輻(fu)射(she)探(tan)測器
          • 訪(fang)問(wen)次(ci)數(shu):394
          • 更新(xin)時(shi)間:2025-08-28
          簡要(yao)描(miao)述:

          ORTEC提(ti)供(gong)各種(zhong)耗(hao)盡厚度(du)的矽(gui)面壘(lei)型(xing)探(tan)測器,可滿足(zu)眾多(duo)研(yan)究(jiu)應用(yong)的需(xu)求(qiu)

          產品(pin)詳(xiang)情

          ORTEC提(ti)供(gong)各種(zhong)耗(hao)盡厚度(du)的矽(gui)面壘(lei)型(xing)探(tan)測器,可滿足(zu)眾多(duo)研(yan)究(jiu)應用(yong)的需(xu)求(qiu)。

          *所(suo)有分(fen)辨率測量(liang)均(jun)在21±1°C下(xia)執(zhi)行(xing)和(he)保(bao)證。

          **用5.486-MeV天然α粒(li)子(zi)測(ce)量(liang)。

          A 系(xi)列(lie)

          B 系(xi)列(lie)

          主要應(ying)用(yong)

          高(gao)分(fen)辨率帶電(dian)粒(li)子(zi)光(guang)譜(pu)測(ce)量(liang)(核(he)物(wu)理(li)與放(fang)射(she)化學(xue) ,空間物(wu)理(li)學(xue))

          粒子(zi)識(shi)別、望遠(yuan)鏡探測器(核(he)物(wu)理(li)與放(fang)射(she)化學(xue),空間物(wu)理(li)學(xue))

          探測(ce)器類(lei)型(xing)

          部(bu)分(fen)耗盡(jin)的(de)矽(gui)面壘(lei)

          全(quan)耗(hao)盡(jin)的矽(gui)面壘(lei)

          初(chu)始材(cai)料

          Si

          Si

          有效面積範(fan)圍(wei) (mm2)

          25-450

          50-450

          有效厚(hou)度範(fan)圍(wei) (µm)

          1000-2000

          150-2000

          保證(zheng)工作(zuo)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)*

          +25°C
          30°C

          +25°C 至(zhi)
          30°C

          二極(ji)管結構(gou)

          - N型(xing)矽(gui)鋁(lv)部(bu)分(fen)耗盡(jin)

          - N型(xing)矽(gui)鋁(lv)全(quan)耗(hao)盡(jin)

          標稱(cheng)等(deng)效(xiao)** 窗(chuang)口(kou)的(de)截(jie)止能(neng)量(liang)

          入(ru)口(kou)
          800 Å Si

          入(ru)口(kou)
          800 Å Si
          出(chu)口(kou)
          2250 Å Si



          C 系(xi)列(lie)

          D 系(xi)列(lie)

          主要應(ying)用(yong)

          從準直(zhi)光源(yuan)或光束的(de)反(fan)向(xiang)散射(she) - 角度相(xiang)關(guan)測量(liang)(核(he)物(wu)理(li))

          重離子(zi)的(de)飛(fei)行(xing)時(shi)間測量(liang)(核(he)物(wu)理(li))

          探測(ce)器類(lei)型(xing)

          環形部(bu)分(fen)耗盡(jin)的(de)矽(gui)面壘(lei)

          平(ping)面全耗(hao)盡(jin)的矽(gui)面壘(lei)

          初(chu)始材(cai)料

          Si

          Si

          有效面積範(fan)圍(wei) (mm2)

          50-450

          10-450

          有效厚(hou)度範(fan)圍(wei) (µm)

          100-1000

          15-100

          保證(zheng)工作(zuo)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)*

          25°C
          30°C

          10°C 至(zhi)
          25
          °C

          二極(ji)管結構(gou)

          - N型(xing)矽(gui)鋁(lv)部(bu)分(fen)耗盡(jin)

          - N型(xing)矽(gui)鋁(lv)全(quan)耗(hao)盡(jin)平(ping)面

          標稱(cheng)等(deng)效(xiao)** 窗(chuang)口(kou)的(de)截(jie)止能(neng)量(liang)

          入(ru)口(kou)
          800 Å Si
          出(chu)口(kou)
          2250 Å Si

          入(ru)口(kou)
          800 Å Si
          出(chu)口(kou)
          2250 Å Si



          F 系(xi)列(lie)

          R 系(xi)列(lie)

          主要應(ying)用(yong)

          重離子(zi)譜(pu)測(ce)量(liang)(核(he)物(wu)理(li)學(xue))

          可在空氣(qi)和(he)環境(jing)光下(xia)進(jin)行的帶(dai)電(dian)粒(li)子(zi)譜(pu)測(ce)量(liang)

          探(tan)測(ce)器類(lei)型(xing)

          部(bu)分(fen)耗盡(jin)的(de)矽(gui)面壘(lei)

          加(jia)固(gu)型(xing)部(bu)分(fen)耗盡(jin)矽(gui)

          初(chu)始材(cai)料

          Si

          Si

          有效面積範(fan)圍(wei) (mm2)

          100-900

          50-2000

          有效厚(hou)度範(fan)圍(wei) (µm)

          60

          100-500

          保證(zheng)工作(zuo)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)*

          +25°C
          30°C

          +25°C 至(zhi)
          30°C

          二極(ji)管結構(gou)

          - N型(xing)矽(gui)鋁(lv)部(bu)分(fen)耗盡(jin)高(gao)場強(qiang)

          鋁(lv) - P型(xing)矽(gui)金部(bu)分(fen)耗盡(jin)

          標稱(cheng)等(deng)效(xiao)** 窗(chuang)口(kou)的(de)截(jie)止能(neng)量(liang)

          入(ru)口(kou)
          800 Å Si

          入(ru)口(kou)
          2300 Å Si


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